Disco SSD 990 SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
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SSD interno Samsung 990 MZ-V9V1T0BW de 1 TB para una ranura M.2 2280 con interfaz PCIe Gen 4.0 x4 y NVMe 2.0. Declara hasta 7.450 MB/s de lectura secuencial y hasta 6.900 MB/s de escritura secuencial.
Conoce este producto
El Samsung 990 MZ-V9V1T0BW es un SSD interno de 1 TB en formato M.2 2280. Usa la interfaz PCIe Gen 4.0 x4 con NVMe 2.0 y está indicado para equipos que dispongan de esa clase de conexión. Según las especificaciones del fabricante, alcanza hasta 7.450 MB/s de lectura secuencial y hasta 6.900 MB/s de escritura secuencial. Incorpora Samsung V-NAND 3-bit MLC, 1 GB de caché Low Power DDR4 SDRAM, cifrado AES de 256 bits y compatibilidad con S.M.A.R.T. También incluye Garbage Collection automático, Device Sleep Mode y el software de gestión Magician.
¿Para qué te puede servir?
- Puede utilizarse como almacenamiento interno en un equipo con ranura M.2 2280 y PCIe Gen 4.0 x4.
Sus puntos fuertes
- Capacidad de 1 TB en formato M.2 2280.
- Lectura secuencial especificada de hasta 7.450 MB/s.
Qué tener en cuenta antes de comprar
- Requiere una conexión M.2 2280 compatible con PCIe Gen 4.0 x4 y NVMe 2.0.
Preguntas sobre este producto
¿Qué capacidad ofrece este SSD Samsung 990?
Ofrece 1 TB, equivalente a 1.000 GB según la ficha del fabricante.
¿Qué formato e interfaz utiliza?
Tiene formato M.2 2280 e interfaz PCIe Gen 4.0 x4 con NVMe 2.0.
Análisis de ALMC elaborado con ayuda de IA a partir de la ficha del proveedor. No es una prueba del producto ni una opinión de un comprador. Consulta las especificaciones y confirma la compatibilidad que necesites.
Características técnicas
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-V9V1T0BW |
| Características | - Tipo: SSD interno - Capacidad: 1 TB (1.000 GB) - Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 - Factor de forma: M.2 2280 - Velocidad de lectura secuencial: hasta 7.450 MB/s - Velocidad de escritura secuencial: hasta 6.900 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.550.000 IOPS - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC - Memoria caché: 1 GB Low Power DDR4 SDRAM - MTBF: 1.500.000 horas - Encriptación: AES 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 - TRIM - S.M.A.R.T. - Garbage Collection automático - Device Sleep Mode - Voltaje soportado: 3,3 V ± 5% - Temperatura operativa: 0 a 70 °C - Resistencia a golpes: 1.500 G - Software de gestión: Magician - Consumo medio: 5,4 W - Consumo máximo: 7,8 W - Consumo en reposo: 50 mW Dimensiones y peso - 80 x 22 x 2,3 mm - 9 g |
| Fecha de revisión | 14-08-2026 por IS |
Referencias e identificación
| Referencia | IAIDSO0983 |
|---|---|
| EAN | 8806099020699 |
| Part number | MZ-V9V1T0BW |
| Fabricante | Samsung |
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